8インチ量産の加速、12・14インチへの大口径化、装置・加工・欠陥評価・エピ技術の進展を、ニュース7件と主要論文26件から俯瞰します。
中国SiC産業の現在地を、量産・大口径化・技術課題の3点から整理。
本報告は、公開情報からのみ収集したものです。従って、オリジナルソースに多少の化粧は含まれている事は想定されますので、トレンドとして認識して頂ければと思います。2024年から2026年にかけての中国における炭化ケイ素（SiC）産業の動向についてまとめました。
現在、中国では8インチ基板の量産体制が急速に整備され、大手企業による大規模な投資が進んでいます。並行して、コスト低減と効率向上を目的に、世界初の12インチ基板発表や14インチ結晶の開発成功といった大口径化に向けた技術革新が加速しています。学術面でも結晶成長や加工、欠陥評価等の進展が多数報告されています。12インチの産業化には依然として課題が残るものの、中国企業は世界的な開発競争において存在感を強めています。
大口径基板、結晶、エピ装置、量産投資、市場拡大を時系列で紹介。
山東天岳先進科技は、SEMICON China 2025において、世界初となる全製品系列の12インチ（約300mm）SiC基板を発表した。12インチ基板は8インチ基板の約2.25倍の面積を有し、1枚から製造できる半導体チップ数を大幅に増やすことが可能である。これにより、SiC結晶成長、切断、研削、研磨など各工程の単位コスト低減と量産効率向上が期待される。SiC基板は、EV、再生可能エネルギー、産業機器などに用いられる高耐圧・高効率パワー半導体の基礎材料である。今回の発表は、SiC産業の大口径化と低コスト量産に向けた重要な進展である。
原文を開く中国の山西天成半導体は2026年3月、自社開発装置を用いて有効厚さ30mmの14インチ炭化ケイ素（SiC）単結晶の開発に成功した。これは中国の大口径SiC技術が12インチ開発段階から14インチの実用化に向けて前進したことを示す。大口径化により、1枚当たりのチップ取得数が増加し、製造コスト低減と生産効率向上が期待される。12インチ基板では6インチ比でチップ生産量が3倍以上となり、総コストを約40％削減できるとの試算もある。中国企業に加え、Wolfspeed、SK Siltron、Infineon、STMicroelectronicsも開発・増産を進めており、EV、太陽光・蓄電、AIデータセンター向け需要を背景に、世界的な大口径化競争が激化している。
原文を開く露笑科技傘下の合肥露笑半導体材料有限公司は、半絶縁型炭化ケイ素（SiC）分野で重要な技術進展を達成し、12インチSiC単結晶サンプルの作製に初めて成功した。結晶成長から基板加工までの一貫プロセスについて、開発・検証を完了したものである。これにより、同社は導電型と半絶縁型の双方をカバーする製品体系の構築を前進させた。今後は既存の合肥工場を基盤に増産計画を進め、8インチ導電型および12インチ半絶縁型SiC基板の量産化を目指す。主な対象市場は、新エネルギー車、太陽光発電、蓄電、家電、産業制御などであり、大口径化による生産効率向上と市場競争力強化が期待される。
原文を開く浙江晶瑞SuperSiCは、自社構築の12インチSiCパイロットラインを活用し、基板の総厚さばらつき（TTV）を1μm以下に抑える技術を実現した。12インチSiC基板は既に小ロット出荷を開始している。先進パッケージ用インターポーザーでは、高い放熱性能に加え、チップや基板との精密接合に対応するため、TTV・LTVの1μm級制御が求められる。同社は結晶加工、レーザー切断、薄化、研磨、洗浄、検査を含む全工程を構築し、加工・検査設備の100％国産化も達成した。今後は12インチSiC基板の安定量産と産業化を加速する方針である。
原文を開く晶盛機電は、12インチ対応の枚葉式SiCエピタキシャル成長装置を開発し、大手SiCエピウエハメーカーの瀚天天成へ納入した。同装置は8インチと12インチの双方に対応し、独自の垂直分流式ガス導入、ウエハ温度の高精度制御、プロセスガスの分区域制御、自動搬送・保守支援機能を備える。使用する12インチSiC基板は子会社の浙江晶瑞SuperSiCが供給し、中国製設備・材料による一貫体制を実現した。外延層厚さの不均一性は3％以内、ドーピング不均一性は8％以内、2mm角チップ良率は96％超であり、量産効率向上とコスト低減が期待される。
原文を開く中国の8インチSiC基板産業は量産拡大期に入り、天岳先進、天科合達、三安光電などの大手企業を中心に、年産数十万枚規模の設備投資が進んでいる。結晶成長、低欠陥化、低抵抗化、4H結晶構造の均一制御などでも技術進展がみられ、自動車、太陽光・蓄電、産業機器、AR眼鏡、先進半導体パッケージへ用途が広がっている。一方、12インチ基板は少なくとも中国企業10社が試作に成功し、コスト低減と生産効率向上が期待されるが、結晶割れ、熱場制御、設備・外延・デバイス工程の未整備が課題である。当面は8インチが量産の主流となり、12インチは技術検証と小規模生産が中心となる見通しである。
原文を開く中国の化合物半導体産業は、AIサーバー電源、人型ロボット、超急速充電、新エネルギー車などの需要拡大を背景に成長している。2024年の中国におけるSiC・GaNパワーデバイス市場は176億元に達し、特に800V車載システム、急速充電器、5G基地局で採用が進展した。供給面では、SiCの6インチ歩留まり向上、8インチ量産、12インチ基板の開発、車載用MOSFET・モジュールの量産化が進んでいる。GaNでも8インチGaN-on-SiやGaN-on-SiC技術が進展した。一方、結晶欠陥、信頼性規格、製造装置、標準化、人材育成は課題であり、今後は酸化ガリウム、窒化アルミニウム、ダイヤモンド半導体の産業化も期待される。
原文を開く原資料に掲載された企業別整理表を、そのまま見やすく配置しています。
※画像は原資料に埋め込まれた公開情報整理表です。数値・計画は企業発表時点の情報であり、量産能力や稼働率を保証するものではありません。
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| 分野 | 年 | 論文・資料名 | 主な機関・著者 | 日本語要約 |
|---|---|---|---|---|
| 結晶成長 | 2024 | Effect of subsurface damages in seed crystals on the crystal quality of 4H-SiC single crystals grown by PVT | 浙江大学系 | PVT成長時、種結晶の表面下損傷が結晶欠陥・品質に与える影響を評価。大口径化では種結晶加工品質が歩留まりを左右することを示す。(RSC出版) |
| 結晶成長 | 2024 | Investigation of defect formation at the early stage of PVT-grown 4H-SiC crystals | Hu, Liu, Cheng ほか | PVT成長初期の欠陥発生を解析。成長初期界面、応力、転位発生の理解に有用で、8インチ以上の結晶安定化に関係する。(ScienceDirect) |
| 結晶成長 | 2024 | Improvement of the resistivity uniformity of 8-inch 4H-SiC wafers by optimizing the thermal field | 山東大学系 | 8インチ4H-SiCで熱場を最適化し、窒素ドープ抵抗率の面内均一性を改善。量産基板の電気特性安定化に重要。(ScienceDirect) |
| 結晶成長 | 2024 | Distribution of the electrical resistivity of n-type 4H-SiC crystal during PVT growth | Xie ほか | 150mm n型4H-SiCにおける抵抗率分布を、成長ファセットと熱勾配の観点から解析。大口径結晶のドーピング制御に有用。(ScienceDirect) |
| 結晶成長 | 2025 | Growth of low resistivity p-type 4H-SiC single crystals by PVT | Han ほか | Al高濃度ドープによる低抵抗p型4H-SiC単結晶をPVTで成長。p型基板の抵抗率、結晶品質、XRT評価を報告。(ScienceDirect) |
| 結晶成長 | 2025 | Surface Morphology of 6-Inch SiC Single Crystals in TSSG | Liang ほか | TSSG法による6インチSiC成長表面を検討。PVTより低温・平衡近傍で成長可能な液相法の可能性を示す。(MDPI) |
| 結晶成長 | 2025 | Induction frequency modulation for 4H-SiC growth | Wang ほか | 誘導加熱周波数により温度場・応力・転位密度を制御。8インチ4H-SiCの低欠陥成長に向けた炉設計指針を示す。(ScienceDirect) |
| 結晶成長 | 2025 | Recent Progress on Preparation of 3C-SiC Single Crystal | 中国無機材料学報 | 3C-SiCのCVD、CF-PVT、昇華外延、TSSGを整理したレビュー。4H-SiC以外の高移動度SiC候補として参考価値が高い。(jim.org.cn) |
| 加工 | 2024 | Polishing Mechanism of CMP 4H-SiC Crystal Substrate Si-face Based on Al₂O₃ Abrasive | Gong ほか | Al₂O₃砥粒を用いた4H-SiC CMP条件を系統評価。圧力・速度・砥粒条件と表面品質の関係を整理。(PMC) |
| 加工 | 2024 | Nanosecond laser irradiation assisted CMP for single crystal 4H-SiC | Wang ほか | ナノ秒レーザー照射でSiC表面を活性化しCMP除去を促進。難加工材SiCの高能率平坦化に向けた外場支援プロセス。(ScienceDirect) |
| 加工 | 2025 | Improvement in planarization of 4H-SiC by photo-assisted CMP using nano TiO₂ | Chen ほか | TiO₂光触媒を使うP-CMPで4H-SiC表面の平坦化を改善。除去速度と表面粗さの両立を狙う研究。(SciOpen) |
| 加工 | 2025 | Advances and challenges in chemical mechanical polishing of SiC | Li ほか | SiC CMPのレビュー。触媒系、外場支援、AI最適化、グリーン研磨など今後の研究方向を整理。(RSC出版) |
| 加工 | 2025 | Laser Slicing Technology for 12 inch Silicon Carbide Crystals | 中国レーザー誌 | 12インチSiC結晶向けレーザースライシング技術を扱う招待論文。大口径化で重要な切断ロス低減・加工品質改善が主題。(researching.cn) |
| 加工 | 2026 | Enhanced CMP of 8-inch 4H-SiC using hierarchical bimodal SiO₂ abrasives | 山東大学系 | 8インチ4H-SiC CMPで二峰性SiO₂砥粒を利用。材料除去率向上とダメージ抑制を両立する量産寄りの研究。(ScienceDirect) |
| 欠陥評価 | 2024 | Origins and characterization techniques of stress in SiC crystals | Tian ほか | SiC結晶の残留応力の起源と評価技術を整理。高温成長に伴う応力・基板品質低下の理解に有用なレビュー。(ScienceDirect) |
| 欠陥評価 | 2025 | Decoding “black-white band” defects in PVT grown 4H-SiC | 山東大学系 | PVT成長4H-SiCの黒白帯状欠陥をXRT/HRXRD等で解析。熱場設計と応力制御による抑制策を提示。(ScienceDirect) |
| 欠陥評価 | 2025 | Characterization of Dislocations in 4H-SiC | Peng ほか | X線トポグラフィによる4H-SiC転位評価。KOHエッチングでは見えにくいTSDやプリズム転位の検出有効性を示す。(scientific.net) |
| 欠陥評価 | 2026 | Application of X-ray topography in defect characterization of 4H-SiC wafer | Acta Physica Sinica | 4H-SiCウエハ欠陥評価におけるXRTの適用を体系化。非破壊・大面積検査技術として量産管理に重要。(wulixb.iphy.ac.cn) |
| 欠陥評価 | 2026 | Geometric-contrast-driven threading dislocations identification in 4H-SiC | Chen ほか | 微細エッチングとXRTを組み合わせ、4H-SiCの貫通転位識別精度を向上。欠陥分類の実用化に近い研究。(ScienceDirect) |
| エピ | 2024 | High uniform N-type doping of 4H-SiC homoepitaxy | Gong ほか | ホットウォールCVDでN型4H-SiCホモエピのドーピング均一性を検討。ガス流・温度場が濃度分布に与える影響を解析。(ScienceDirect) |
| エピ | 2024 | Effect of TCS gas flow and pre-etching on homoepitaxial growth of 4H-SiC | Guo ほか | 6インチ4H-SiC基板上でTCS流量と前処理エッチングがエピ品質に与える影響を評価。量産CVD条件設計に有用。(RSC出版) |
| エピ | 2024 | Research on influence of carbon sources and buffer layers on 4H-SiC homoepitaxy | Yuan ほか | 150mm基板を用い、炭素源・バッファ層条件がホモエピ表面・欠陥に与える影響を検討。(PMC) |
| エピ | 2025 | Doping and minority carrier lifetime uniformity of 4H-SiC homoepitaxial layers | Science China Information Sciences | C/Si比分布がドーピング濃度と少数キャリア寿命の均一性に与える影響を解析。高耐圧デバイス用エピに重要。(ResearchGate) |
| エピ | 2026 | Optimization and Simulation on Gas Flow and Temperature Fields on N-Doped 4H-SiC Wafers | Zhang ほか | 6インチNドープ4H-SiCホモエピで、C/Si比、H₂流量、温度等を最適化。シミュレーションと実験を統合。(MDPI) |
| 12インチ | 2025 | Fabrication and Characterizations of 12-inch n-Type 4H-SiC Single Crystal Substrates | 山東大学/SICC系 | 12インチn型4H-SiC単結晶基板の作製・評価を報告。種結晶、熱場、応力、TTV等が大口径化の核心課題。(researching.cn) |
| 12インチ | 2026 | 300 mm 4H-SiC Crystal and Substrate Development | SICC系 | SICCによる300mm級4H-SiC結晶・基板開発資料。200mmから300mmへの拡径、TTVや反りなど加工品質に言及。(ResearchGate) |
継続的なニュース確認に適した企業公式ページ。
本ページは、2026年7月作成の原資料を閲覧・紹介しやすい形に再構成したものです。公開情報には企業広報上の表現が含まれる可能性があるため、投資・調達・技術評価では一次情報による再確認が必要です。